型号 | SI8417DB-T2-E1 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP |
SI8417DB-T2-E1 PDF | |
代理商 | SI8417DB-T2-E1 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 14.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 21 毫欧 @ 1A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 900mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 57nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 2220pF @ 6V |
功率 - 最大 | 6.57W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-MICRO FOOT? |
供应商设备封装 | 6-Micro Foot? |
包装 | 带卷 (TR) |